Журнал «Измерительная техника», №5, 72 стр.
Май 2019
Измерение энергетического разрешения кремниевых детекторов рентгеновского излучения по спектрам на краях поглощения
Рубрика «Измерения ионизирующих излучений»Авторы: С. М. Осадчий, А. А. Петухов, В. Б. ДунинКлючевые слова: Si-pin-детектор, энергетическое разрешение детектора, рентгеновское излучение, гамма-источник.Страницы: 65-68DOI: 10.32446/0368-1025it.2019-5-65-68Заказать номер журнала в печатном виде или приобрести статью или весь номер в электронном виде.
Аннотация
Разработан кремниевый детектор с продольным расположением кремниевой пластины. По спектрам рентгеновского излучения на K-краях поглощения Au, Pb, Bi измерено энергетическое разрешение разработанного детектора. Полученные результаты сопоставлены с результатами измерений по
гамма-источнику рентгеновского излучения 241Am. Рассчитана зависимость энергетического разрешения детектора от шумов зарядочувствительного усилителя и статистических флуктуаций образования пар носителей в кремнии.
1. Акимов Ю. К. Кремниевые детекторы излучений // Приборы и техника эксперимента. 2007. № 1. С. 5–34.
2. Балдин С. А., Вартанов Н. А., Ерыхайлов Ю. В., Иоаннесянц Л. М., Матвеев В. В., Сельдяков В. П. Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами. М.: Атомиздат, 1974. 320 с.
3. Осадчий С. М., Коваленко П. П., Толпекин И. Г. Новое поколение аппаратуры для рентгеноструктурного и рентгеноспектрального анализа // РСНЭ 2007: VI Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучения, нейтронов и электронов для исследования материалов. Москва, Институт Кристаллографии РАН, 2007, с. 618.
4. Деев А. С., Мазилов А. А., Наумов С. В., Шулика М. Ю. Энергетическое разрешение спектрометра на основе неохлаждаемого Si планарного детектора и предварительного усилителя с емкостной и резистивно-емкостной обратной связью // Научные ведомости Белгородского университета. Серия Математика. Физика. 2015. № 23 (220). Вып. 41. С. 62–69.
5. Васильев Г. П., Волошин В. К., Деев А. С. Киприч С. К., Маслов Н. И., Наумов С. В., Овчинник В. Д.,Потин С. М., Шулика М. Ю., Яловенко В. И. Измерение энергии излучения спектрометрическими системами на основе неохлаждаемых кремниевых детекторов. Поверхность // Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. № 4. С. 94–100.
6. Cartiglia N., Arcidiacono R., Baselga M., Bellan R., Boscardin M., Cenna F., Betta G. F. D., Fernández-Martínez P., Ferrero M., Flores D., Galloway
Z., Greco V., Hidalgo S., Marchetto F. P., Monaco V., Obertino M., Pancheri L., Paternoster G., Picerno A., Pellegrini G., Quirion D., Ravera F., Sacchi R., Sadrozinski H. F.-W., Seiden A., Spencer N. Design optimization of ultra-fast silicon detectors // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2015. 796.
P. 141–148.
Measurement of the energy resolution of silicon X-ray detectors by spectra at absorption edges
Аuthors: S. M. Osadchii, A. A. Petukhov, V. B. DuninKeywords: Si-pin-detector, energy resolution of detector, X-rays, source of gamma rays.Pages: 65-68DOI: 10.32446/0368-1025it.2019-5-65-68AnnotationThe energy resolution of the developed silicon detector with the longitudinal position of the silicon wafer was measured by the X-ray spectra at the K-absorption edges of Au, Pb, Bi. The measurement results are compared with the measurement results for the 241Am gamma-ray source. The dependence of the energy resolution of the detector on statistical fluctuations of the formation of carrier pairs in silicon and the noise of a charge-sensitive amplifier has been calculated.